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MMBF5460LT1中文资料

MMBF5460LT1图片

MMBF5460LT1外观图

  • 大小:129KB
  • 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述:JFET General Purpose Transistor
  • 标准包装:10
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:JFET(结点场效应
  • 系列:-
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):1mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss):-
  • 漏极电流 (Id) - 最大:-
  • FET 型:P 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40V
  • 电压 - 切断 (VGS 关)@ Id:750mV @ 1µA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:7pF @ 15V
  • 电阻 - RDS(开):-
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装:剪切带 (CT)
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 功率 - 最大:225mW
  • 其它名称:MMBF5460LT1OSCT

MMBF5460LT1供应商

更新时间:2023-01-01 14:53:43
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